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BFR193FH6327XTSA1
0.081
BFR193FH6327XTSA1 数据手册 (6 页)
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BFR193FH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
8000 MHz
引脚数
3 Pin
封装
PG-TSFP-3
针脚数
3 Position
功耗
580 mW
输入电容
2.25 pF
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
12.5 dB
最小电流放大倍数
70 @30mA, 8V
额定功率(Max)
580 mW
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
580 mW

BFR193FH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

BFR193FH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BFR193FH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
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