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BFR 35AP E6327
0.023
BFR 35AP E6327 数据手册 (6 页)
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BFR 35AP E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.28 W
功耗
280 mW
输入电容
0.64 pF
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
增益
10.5dB ~ 16dB
最小电流放大倍数
70 @15mA, 8V
最大电流放大倍数
70 @15mA, 8V
额定功率(Max)
280 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
280 mW

BFR 35AP E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BFR 35AP E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.58 MByte

BFR35 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管低噪声射频宽带放大器和高速开关应用 NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW-NOISE RF BROADBAND AMPLIFIERS AND HIGH-SPEED SWITCHING APPLICATIONS
Infineon(英飞凌)
Infineon BFR35APE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 45 mA, Vce=15 V, HFE:70, 5 GHz, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
射频双极晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
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