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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Infineon(英飞凌) > BFR 360F H6327 Datasheet 文档
BFR 360F H6327
0.079
BFR 360F H6327 数据手册 (9 页)
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BFR 360F H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
3.5 GHz
引脚数
3 Pin
封装
PG-TSFP-3
额定功率
0.21 W
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
210 mW
输入电容
0.4 pF
击穿电压(集电极-发射极)
9 V
增益
15.5 dB
最小电流放大倍数
90
最大电流放大倍数
160
额定功率(Max)
210 mW
直流电流增益(hFE)
90
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
210 mW

BFR 360F H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
1.2 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BFR 360F H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.56 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.56 MByte

BFR360 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR360FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR360FH6765XTSA1  晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 120 hFE 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR 360F H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
BFR360L3 NPN三极管 15V 35mA 14GHz 60~200 TSLP-3-1 marking/标记 FB 低噪声放大器
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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