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BFR 360F H6765
0.055
BFR 360F H6765 数据手册 (10 页)
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BFR 360F H6765 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
PG-TSFP-3
击穿电压(集电极-发射极)
9 V
增益
15.5 dB
最小电流放大倍数
90 @15mA, 3V
额定功率(Max)
210 mW

BFR 360F H6765 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BFR 360F H6765 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.56 MByte

BFR360 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR360FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR360FH6765XTSA1  晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 120 hFE 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR 360F H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
BFR360L3 NPN三极管 15V 35mA 14GHz 60~200 TSLP-3-1 marking/标记 FB 低噪声放大器
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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