BFR92AW 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 25mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 5GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 90 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 5 GHz wideband transistor FEATURES • High power gain • Gold metallization ensures excellent reliability • SOT323 (S-mini) package. APPLICATIONS It is designed for use in RF amplifiers, mixers and oscillators with signal frequencies up to 1 GHz. 描述与应用| 5 GHz的宽带晶体管NPN 特点 •高功率增益 •黄金金属确保卓越的可靠性 •SOT323（S-迷你）封装。 应用 它是专为在RF放大器中使用 混频器和振荡器信号 高达1 GHz的频率。