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BFS 483 H6327
0.179
BFS 483 H6327 数据手册 (6 页)
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BFS 483 H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
8 GHz
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363
额定功率
0.45 W
针脚数
6 Position
极性
NPN
功耗
450 mW
输入电容
1.1 pF
最小电流放大倍数
70
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
450 mW

BFS 483 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BFS 483 H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.54 MByte

BFS483 数据手册

Infineon(英飞凌)
BFS483 NPN+NPN复合三极管 20V 65mA hef=50~200 SOT-363 标记RH 用于开关/数字电路
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFS483H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, 双NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 70 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFS 483 H6327  晶体管 双极-射频, 双NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 70 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon RF TRANSISTOR
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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