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BFT92E6327
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BFT92E6327 数据手册 (3 页)
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BFT92E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-15.0 V
额定电流
-25.0 mA
封装
SOT-23-3
输入电容
0.7 pF
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
增益
8dB ~ 13.5dB
最小电流放大倍数
15 @15mA, 8V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

BFT92E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

BFT92E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.07 MByte

BFT92 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BFT92  晶体管 双极-射频, PNP, 15 V, 5 GHz, 300 mW, -25 mA, 50 hFE
Infineon(英飞凌)
BJT
Philips(飞利浦)
Siemens Semiconductor(西门子)
Yageo(国巨)
NXP(恩智浦)
NXP  BFT92,215  射频宽带晶体管, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-23, 整卷
NXP(恩智浦)
NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
Infineon(英飞凌)
NXP(恩智浦)
BFT92W PNP三极管 -20V -35mA 4GHz 50 SOT-323/SC-70 marking/标记 W1 高功率增益
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