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BGT24LTR11N16E6327XTSA1
2.276
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 数据手册 (13 页)
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BGT24LTR11N16E6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
24GHz ~ 24.25GHz
引脚数
16 Pin
封装
TSNP-16-9
针脚数
16 Position
功耗
300 mW
输出功率
6 dBm
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
300 mW
电源电压
3.3 V
电源电压(Max)
3.4 V
电源电压(Min)
3.2 V

BGT24LTR11N16E6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃

BGT24LTR11N16E6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.42 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.42 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 2.47 MByte

BGT24LTR11N16E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
射频收发器, 硅锗雷达, MMIC, 24GHz至24.25GHz, 6dBm输出, 3.2V至3.4V, TSNP-16
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