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BGT24MTR12E6327XUSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

RF射频器件

封装:

QFN

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BGT24MTR12E6327XUSA1 数据手册 (28 页)

引脚图在17 页Hot

封装尺寸在26 页

典型应用电路图在23 页

原理图在8 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页 20 页 21 页 22 页 23 页

BGT24MTR12E6327XUSA1 数据手册 (28 页)

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BGT24MTR12E6327XUSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

32 Pin

封装

QFN

功耗

1050 mW

工作温度(Max)

105 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1050 mW

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BGT24MTR12E6327XUSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 105℃

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BGT24MTR12E6327XUSA1 符合标准

BGT24MTR12E6327XUSA1 海关信息

BGT24MTR12E6327XUSA1 数据手册

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