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BLF184GQ
125.617
BLF184GQ 数据手册 (15 页)
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BLF184GQ 技术参数、封装参数

类型
描述
频率
108 MHz
额定电流
1.4 µA
封装
SOT-1214
输出功率
650 W
增益
23.5 dB
测试电流
100 mA

BLF184GQ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk

BLF184GQ 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 1.28 MByte

BLF184 数据手册

Ampleon USA
108 Mhz 23.9dB 135 V 700 W 功率 LDMOS 晶体管 - SOT1214
NXP(恩智浦)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF184XR/ACC-4L/STANDARD MARKI
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor
NXP(恩智浦)
功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor
NXP(恩智浦)
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