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BPW77NA
1.481

BPW77NA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
70.0 V
工作电压
5.00 V
封装
TO-18
上升/下降时间
6000 ns
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
波长
850 nm
视角
10°
峰值波长
850 nm
极性
NPN
功耗
250 mW
功耗
250 mW
上升时间
6 µs
击穿电压(集电极-发射极)
70 V
额定功率(Max)
250 mW
下降时间
5 µs
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

BPW77NA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
5.5 mm
宽度
5.5 mm
高度
6.15 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

BPW77NA 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.13 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.13 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.13 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.08 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
1 页 / 0.16 MByte

BPW77 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
硅NPN光电晶体管 Silicon NPN Phototransistor
VISHAY(威世)
850 nm ± 10° 窄角 光电 灵敏度 硅 NPN 光电晶体管 - TO-18
VISHAY(威世)
BPW77NA 和 BPW77NB 系列光电晶体管Vishay Semiconductor BPW77NA 和 BPW77NB 是一个硅 NPN 光电晶体管系列。 它们采用 TO-18 等级密封,带玻璃透镜。 BPW77NA 和 BPW77NB 光电晶体管为对可见光和近红外辐射敏感。 它们特别适合用作电子控制和驱动电路中的检测器。 BPW77NA 和 BPW77NB 光电晶体管的特征: TO-18 封装 4.7mm 直径 通孔安装 光敏性高 高辐射灵敏度 快速响应时间 工作温度:-40 至 +125 °C### 红外光电晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  BPW77NA  光电三极管, NPN, 3-TO-18
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  BPW77NB  硅光电晶体管, NPN
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
硅NPN光电晶体管 Silicon NPN Phototransistor
VISHAY(威世)
ATMEL(爱特美尔)
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