BR24L01AFVM-WTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●存储器格式Format - Memory| EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial \---|--- 存储器类型Memory Type| EEPROM 存储容量Memory Size| 1K (128 x 8) 速度Speed| 400kHz 接口Interface| I²C，2 线串口 I²C, 2-Wire Serial 电源电压Voltage - Supply| 1.8 V ~ 5.5 V Description & Applications| AK93C45A / 55A / 65A / 75A 1K / 2K / 4K / 8Kbit Serial CMOS EEPROM Features 1) 128 registers × 8 bits serial architecture. 2) Single power supply (1.8V to 5.5V). 3) Two wire serial interface. 4) Self-timed write cycle with automatic erase. 5) 8 byte page write mode. 6) Low power consumption. Write (5V) : 1.2mA (Typ.) Read (5V) : 0.2mA (Typ.) Standby (5V) : 0.1µA (Typ.) 7) DATA security Write protect feature (WP pin) . Inhibit to WRITE at low VCC. 8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8 9) High reliability EEPROM with Double-Cell Structure 10) High reliability fine pattern CMOS technology. 11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles 12) Data retention : 40 years 13) Filtered inputs in SCL•SDA for noise suppression. 14) Initial data FFh in all address. 描述与应用| AK93C45A/55A/65A/75A 1K /2K /4K/串行CMOS EEPROM的8Kbit 1）128个寄存器×8位串行架构。 2）单电源（1.8V至5.5V）。 3）两线串行接口。 4）自定时写周期自动擦除。 5）8字节页写模式。 6）低功耗。 写（5V）：1.2毫安（典型值） 阅读（5V）：0.2毫安（典型值） 待机（5V）：0.1μA（典型值） 7）数据安全 写保护功能（WP引脚）。 抑制低VCC写。 8）小包装--- DIP8/ SOP8/ SOP-J8/ SSOP-B8/ MSOP-8 9）高可靠性的EEPROM的双单元结构 10）高可靠性的精细图案CMOS技术。 11）耐力：1,000,000擦除/写周期 12）数据可保持40年 13）过滤投入SCL•SDA噪声抑制。 14）初始数据FFh的所有地址