器件3D模型

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BR93L56RFVM-WTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

EEPROM芯片

封装:

MSOP-8

描述:

串行EEPROM系列高可靠性系列微丝EEPROMS总线●说明BR93L□□-W系列，BR93A□□-WM系列串行EEPROM的3线串行接口方法串行EEPROM系列高可靠性系列微丝EEPROMS总线描述BR93L□□-W系列，BR93A□□-WM..

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BR93L56RFVM-WTR 数据手册 (38 页)

引脚图在5 页Hot

封装尺寸在26 页 27 页 28 页 29 页 30 页 31 页 32 页

典型应用电路图在37 页

原理图在5 页

BR93L56RFVM-WTR 数据手册 (38 页)

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BR93L56RFVM-WTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

2 MHz

引脚数

8 Pin

电源电压

5.00 V, 5.50 V (max)

封装

MSOP-8

供电电流

4.5 mA

时钟频率

2.00 MHz, 2.00 MHz (max)

存取时间

200 ns

内存容量

2000 B

存取时间(Max)

200 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

1.8V ~ 5.5V

电源电压(Max)

5.5 V

电源电压(Min)

1.8 V

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BR93L56RFVM-WTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 85℃ (TA)

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BR93L56RFVM-WTR 符合标准

BR93L56RFVM-WTR 概述

●存储器格式Format - Memory| EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial \---|--- 存储器类型Memory Type| EEPROM 存储容量Memory Size| 2K (128 x 16) 速度Speed| 2MHz 接口Interface| Microwire 3 线串行 Microwire, 3-Wire Serial 电源电压Voltage - Supply| 1.8 V ~ 5.5 V Description & Applications| Serial EEPROM Series High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS

●Description BR93L□□-W Series, BR93A□□-WM Series are serial EEPROM of serial 3-line interface method Serial EEPROM Series High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS Description BR93L□□-W Series, BR93A□□-WM Series are serial EEPROM of serial 3-line interface method Features 1) 128 registers × 8 bits serial architecture. 2) Single power supply (1.8V to 5.5V). 3) Two wire serial interface. 4) Self-timed write cycle with automatic erase. 5) 8 byte page write mode. 6) Low power consumption. Write (5V) : 1.2mA (Typ.) Read (5V) : 0.2mA (Typ.) Standby (5V) : 0.1µA (Typ.) 7) DATA security Write protect feature (WP pin) . Inhibit to WRITE at low VCC. 8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8 9) High reliability EEPROM with Double-Cell Structure 10) High reliability fine pattern CMOS technology. 11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles 12) Data retention : 40 years 13) Filtered inputs in SCL•SDA for noise suppression. 14) Initial data FFh in all address. 描述与应用| 串行EEPROM系列高可靠性系列微丝EEPROMS总线

●说明 BR93L□□-W系列，BR93A□□-WM系列串行EEPROM的3线串行接口方法串行EEPROM系列高可靠性系列微丝EEPROMS总线描述 BR93L□□-W系列，BR93A□□-WM系列串行EEPROM的3线串行接口方法 1）128个寄存器×8位串行架构。 2）单电源（1.8V至5.5V）。 3）两线串行接口。 4）自定时写周期自动擦除。 5）8字节页写模式。 6）低功耗。写（5V）：1.2毫安（典型值）阅读（5V）：0.2毫安（典型值）待机（5V）：0.1μA（典型值） 7）数据安全写保护功能（WP引脚）。抑制低VCC写。 8）小包装--- DIP8/ SOP8/ SOP-J8/ SSOP-B8/ MSOP-8 9）高可靠性的EEPROM的双单元结构 10）高可靠性的精细图案CMOS技术。 11）耐力：1,000,000擦除/写周期 12）数据可保持40年 13）过滤投入SCL•SDA噪声抑制。 14）初始数据FFh的所有地址

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