￥ 0.244

BS107PSTZ 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

E-Line-3

描述:

场效应管(MOSFET) BS107PSTZ EP3SC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BS107PSTZ 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

BS107PSTZ 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BS107PSTZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

120 mA

封装

E-Line-3

漏源极电阻

30.0 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.5 W

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

120 mA

上升时间

8 ns

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

查看数据手册 >

BS107PSTZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BS107PSTZ 符合标准

BS107PSTZ 海关信息

BS107PSTZ 数据手册

Diodes（美台）

5 页 / 0.63 MByte

BS107PSTZ 其他数据使用手册

Diodes（美台）

9 页 / 0.21 MByte

BS107 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号MOSFET 250毫安， 200伏 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts

BS107 数据手册

Infineon（英飞凌）

SIPMOS小信号晶体管 SIPMOS Small-Signal Transistor

BS107 数据手册

Philips（飞利浦）

BS107 数据手册

Diodes（美台）

N沟道200 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs

BS107 数据手册

Visay

BS107 数据手册

Temic

BS107ARL1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR BS107ARL1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 250mA TO-92

BS107P 数据手册

Diodes（美台）

BS107 系列 200 V 23 Ohm N 沟道增强模式垂直 DMOS FET -TO-92

BS107G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

BS107ARL1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号MOSFET 250毫安， 200伏 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号