BS108G

￥ 0.077

BS108G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

小信号MOSFET 250毫安， 200伏特，逻辑电平 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BS108G 数据手册 (3 页)

封装尺寸在3 页

BS108G 数据手册 (3 页)

或点击图片查看大图

BS108G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

250 mA

封装

TO-92-3

额定功率

800 mW

通道数

1 Channel

漏源极电阻

8 Ω

极性

N-Channel

功耗

350 mW

阈值电压

1.5 V

输入电容

150 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

250 mA

输入电容值(Ciss)

150pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

查看数据手册 >

BS108G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BS108G 符合标准

BS108G 海关信息

BS108G 数据手册

BS108G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.08 MByte

BS108G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 0.27 MByte

BS108 数据手册

BS108 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号MOSFET 250毫安， 200伏特，逻辑电平 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

BS108 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

BS108 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DMOS晶体管（ N沟道） DMOS Transistors (N-Channel)

BS108 数据手册

Philips（飞利浦）

BS108 数据手册

NXP（恩智浦）

N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BS108 数据手册

LiteOn（光宝）

BS108 数据手册

TDK（东电化）

BS108 数据手册

Diodes（美台）

BS108 数据手册

Thomas & Betts

BS108 数据手册

TE Connectivity（泰科）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

AO4409 OPA541AP TPD4E001DRLR CL05A105KP5NNNC LM393DT LMC6482AIM BQ24040DSQR RK73B1JTTD102J GRM31CR61H106KA12L

更多热门型号文档

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z