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BS108ZL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BS108ZL1G 数据手册 (3 页)

封装尺寸在3 页

BS108ZL1G 数据手册 (3 页)

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BS108ZL1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

250 mA

封装

TO-92-3

漏源极电阻

8.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

350 mW

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

250 mA

输入电容值(Ciss)

150pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

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BS108ZL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Box (TB)

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BS108ZL1G 符合标准

BS108ZL1G 海关信息

BS108ZL1G 概述

BS108ZL1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.08 MByte

BS108ZL1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.19 MByte

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