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BS270_D74Z
0.091
BS270_D74Z 数据手册 (12 页)
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BS270_D74Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
400 mA
封装
TO-92-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
625 mW
阈值电压
2.1 V
输入电容
20.0 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
400 mA
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
625mW (Ta)

BS270_D74Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BS270_D74Z 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.42 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.45 MByte

BS270D74 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BS270_D74Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
TI(德州仪器)
ON Semiconductor(安森美)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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