￥ 2.163

BSB013NE2LXIXUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

WDSON-2-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 163 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSB013NE2LXIXUMA1 数据手册 (11 页)

封装尺寸在1 页 8 页 9 页

BSB013NE2LXIXUMA1 数据手册 (11 页)

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BSB013NE2LXIXUMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

WDSON-2-3

额定功率

57 W

针脚数

2 Position

漏源极电阻

0.0011 Ω

极性

N-CH

功耗

2.8 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

25 V

漏源击穿电压

25 V

连续漏极电流(Ids)

36A

上升时间

6.4 ns

输入电容值(Ciss)

4400pF @12V(Vds)

下降时间

4.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2800 mW

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BSB013NE2LXIXUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.35 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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BSB013NE2LXIXUMA1 符合标准

BSB013NE2LXIXUMA1 概述

BSB013NE2LXIXUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.58 MByte

BSB013NE2LXIXUMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BSB013NE2LXIXUMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

BSB013NE2LXIXUMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.68 MByte

BSB013NE2 数据手册

BSB013NE2LXIXUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 163 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V

BSB013NE2LXI 数据手册

Infineon（英飞凌）

25V,163A,N沟道功率MOSFET

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