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BSB028N06NN3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

MG-WDSON-2

描述:

60V,2.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSB028N06NN3G 数据手册 (11 页)

封装尺寸在1 页 8 页

BSB028N06NN3G 数据手册 (11 页)

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BSB028N06NN3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

MG-WDSON-2

极性

N-Channel

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

8800pF @30V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

78 W

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BSB028N06NN3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.35 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.53 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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BSB028N06NN3G 符合标准

BSB028N06NN3G 概述

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