￥ 0.661

BSC016N04LS G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC016N04LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC016N04LS G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

BSC016N04LS G 数据手册 (10 页)

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BSC016N04LS G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0013 Ω

极性

N-Channel

功耗

139 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

上升时间

7.6 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

139 W

下降时间

9.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 139W (Tc)

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BSC016N04LS G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSC016N04LS G 符合标准

BSC016N04LS G 海关信息

BSC016N04LS G 概述

BSC016N04LS G 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.3 MByte

BSC016N04LS G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC016N04LS G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC016N04LS G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC016N04LS G 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.07 MByte

BSC016N04 数据手册

BSC016N04LS G 数据手册

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INFINEON BSC016N04LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2 V

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INFINEON BSC016N04LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2 V

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