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BSC016N04LSGATMA1
1.14
BSC016N04LSGATMA1 数据手册 (10 页)
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BSC016N04LSGATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0013 Ω
极性
N-Channel
功耗
139 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
31A
上升时间
7.6 ns
输入电容值(Ciss)
8900pF @20V(Vds)
下降时间
9.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
139 W

BSC016N04LSGATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.35 mm
宽度
6.1 mm
高度
1.1 mm

BSC016N04LSGATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
58 页 / 1.14 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BSC016N04 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC016N04LS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC016N04LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor
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