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BSC036NE7NS3GXT
1.305
BSC036NE7NS3GXT 数据手册 (9 页)
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BSC036NE7NS3GXT 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TDSON
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
18 ns
下降时间
10 ns

BSC036NE7NS3GXT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSC036NE7NS3GXT 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.57 MByte

BSC036NE7NS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC036NE7NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC036NE7NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
Infineon(英飞凌)
75V,100A,3.6mΩ,N沟道MOSFET
Infineon(英飞凌)
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