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BSC079N10NSGATMA1
1.508
BSC079N10NSGATMA1 数据手册 (10 页)
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BSC079N10NSGATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
极性
N-Channel
功耗
156 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
13.4A
上升时间
40 ns
输入电容值(Ciss)
5900pF @50V(Vds)
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
156W (Tc)

BSC079N10NSGATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSC079N10NSGATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.07 MByte

BSC079N10 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
N沟道 100V 13.4A
Infineon(英飞凌)
100V,100A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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