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BSC080N03LSG
0.219
BSC080N03LSG 数据手册 (10 页)
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BSC080N03LSG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
TDSON
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
2.8 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @15V(Vds)
下降时间
2.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

BSC080N03LSG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSC080N03LSG 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.5 MByte

BSC080N03 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MSGATMA1, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC080N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC080N03LS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
30V,8mΩ,53A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC080N03MS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 6.7 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
30V,52A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
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