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BSC0901NSIXT
0.447
BSC0901NSIXT 数据手册 (10 页)
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BSC0901NSIXT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
PG-TDSON-8
通道数
1 Channel
漏源极电阻
1.7 mΩ
极性
N-CH
功耗
69 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
28A
上升时间
7.2 ns
下降时间
4.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BSC0901NSIXT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.9 mm
宽度
5.15 mm
高度
1.27 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSC0901NSIXT 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.56 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.13 MByte

BSC0901 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC0901NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC0901NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
30V,2mΩ,100A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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