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BSC0902NSXT
0.305
BSC0902NSXT 数据手册 (10 页)
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BSC0902NSXT 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TDSON
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
24A
上升时间
5.2 ns
下降时间
3.6 ns

BSC0902NSXT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSC0902NSXT 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.79 MByte

BSC0902 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC0902NSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC0902NSI  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC0902NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC0902NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V
Infineon(英飞凌)
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