￥ 0.52

BSC0923NDI 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TISON-8

描述:

30V,5/2.8mΩ,40A,双N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

BSC0923NDI 数据手册 (14 页)

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BSC0923NDI 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

PG-TISON-8

通道数

2 Channel

极性

N-CH

功耗

2.5 W

阈值电压

1.2 V, 1.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

±30 V

连续漏极电流(Ids)

17A/32A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1 W

BSC0923NDI 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

BSC0923NDI 符合标准

BSC0923NDI 数据手册

BSC0923NDI 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.73 MByte

BSC0923 数据手册

BSC0923NDIATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 30 V, 3.8 ohm, 10 V, 2 V

BSC0923NDI 数据手册

Infineon（英飞凌）

30V,5/2.8mΩ,40A,双N沟道功率MOSFET

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