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BSC109N10NS3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON

描述:

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC109N10NS3G 数据手册 (42 页)

典型应用电路图在25 页 34 页

原理图在5 页 26 页 27 页

BSC109N10NS3G 数据手册 (42 页)

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BSC109N10NS3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TDSON

极性

N-Channel

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

1900pF @50V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

78 W

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BSC109N10NS3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

6.1 mm

宽度

5.35 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC109N10NS3G 符合标准

BSC109N10NS3G 概述

BSC109N10NS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

42 页 / 6.03 MByte

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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC109N10NS3GATMA1, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装

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