￥ 1.223

BSC190N12NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON-8

描述:

N沟道 120V 8.6A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC190N12NS3 G 数据手册 (10 页)

BSC190N12NS3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TDSON-8

通道数

1 Channel

功耗

69 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

120 V

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

2300pF @60V(Vds)

额定功率(Max)

69 W

下降时间

4 ns

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BSC190N12NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC190N12NS3 G 符合标准

BSC190N12NS3 G 海关信息

BSC190N12NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.66 MByte

BSC190N12NS3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC190N12NS3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.98 MByte

BSC190N12NS3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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N沟道 120V 8.6A

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