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BSC265N10LSF G
0.29
BSC265N10LSF G 数据手册 (10 页)
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BSC265N10LSF G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
TDSON-8
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
78 W
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
24 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @50V(Vds)
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
78 W

BSC265N10LSF G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.35 mm
宽度
6.1 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSC265N10LSF G 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.63 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSC265N10 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC265N10LSFGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.85 V 新
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
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