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BSC360N15NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON-8

描述:

INFINEON BSC360N15NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC360N15NS3 G 数据手册 (9 页)

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BSC360N15NS3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TDSON-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.031 Ω

极性

N-Channel

功耗

74 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

150 V

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

1190pF @75V(Vds)

额定功率(Max)

74 W

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

74000 mW

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BSC360N15NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC360N15NS3 G 符合标准

BSC360N15NS3 G 海关信息

BSC360N15NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.55 MByte

BSC360N15NS3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC360N15NS3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC360N15NS3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC360N15NS3 数据手册

BSC360N15NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC360N15NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V

BSC360N15NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC360N15NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V

BSC360N15NS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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