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BSL207SP H6327
0.16
BSL207SP H6327 数据手册 (9 页)
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BSL207SP H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TSOP-6
通道数
1 Channel
漏源极电阻
29 mΩ
功耗
2 W
阈值电压
1.2 V
漏源击穿电压
20 V
上升时间
17 ns
下降时间
53 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BSL207SP H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSL207SP H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.42 MByte

BSL207 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSL207SPH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.029 ohm, -4.5 V, -900 mV 新
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS ™ 2小信号三极管 OptiMOS?2 Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSL207SP L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.029 ohm, -4.5 V, -900 mV
Infineon(英飞凌)
-20V,-6A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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