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BSM100GB120DN2K
75.758
BSM100GB120DN2K 数据手册 (10 页)
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BSM100GB120DN2K 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
7 Pin
封装
34MM-1
功耗
700 W
击穿电压(集电极-发射极)
1.20 kV
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
700000 mW

BSM100GB120DN2K 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
长度
94 mm
宽度
34 mm
高度
30.5 mm

BSM100GB120DN2K 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.3 MByte

BSM100GB120DN2 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
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