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BSM100GB120DN2K 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

34MM-1

描述:

IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSM100GB120DN2K 数据手册 (10 页)

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BSM100GB120DN2K 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

7 Pin

封装

34MM-1

功耗

700 W

击穿电压(集电极-发射极)

1.20 kV

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

700000 mW

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BSM100GB120DN2K 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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长度

94 mm

宽度

34 mm

高度

30.5 mm

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BSM100GB120DN2K 符合标准

BSM100GB120DN2K 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.3 MByte

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