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BSM200GB120DN2
152.102
BSM200GB120DN2 数据手册 (15 页)
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BSM200GB120DN2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
62 Pin
封装
Module
功耗
1.4 kW
上升时间
160 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

BSM200GB120DN2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
高度
30 mm

BSM200GB120DN2 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.64 MByte

BSM200GB120 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT功率模块(低损耗IGBT的低电感半桥包括快速续流二极管) IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
IGBT功率模块(低损耗IGBT的低电感半桥包括快速续流二极管) IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
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