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BSM35GB120DLC
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BSM35GB120DLC 数据手册 (9 页)
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BSM35GB120DLC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
功耗
310 W
击穿电压(集电极-发射极)
1.20 kV

BSM35GB120DLC 数据手册

BSM35GB120 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管倍频半导体区) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
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