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￥ 48.165
BSM35GB120DN2 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
IGBT晶体管
封装:
Half Bridge1
描述:
IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管倍频半导体区） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area)
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BSM35GB120DN2 数据手册 (11 页)
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