￥ 230.618

BSM50GD120DN2BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

EconoPACK

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

BSM50GD120DN2BOSA1 数据手册 (142 页)

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BSM50GD120DN2BOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Solder

引脚数

17 Pin

封装

EconoPACK

针脚数

17 Position

极性

N-Channel

功耗

350 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

3.3nF @25V

额定功率(Max)

350 W

工作温度(Max)

125 ℃

BSM50GD120DN2BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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工作温度

150℃ (TJ)

BSM50GD120DN2BOSA1 符合标准

BSM50GD120DN2BOSA1 数据手册

BSM50GD120DN2BOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

142 页 / 8.44 MByte

BSM50GD120DN2BOSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

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