Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > BSO150N03MDGXUMA1 Datasheet 文档
BSO150N03MDGXUMA1
0.544
BSO150N03MDGXUMA1 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSO150N03MDGXUMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-DSO-8
额定功率
1.56 W
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0125 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
1.4 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
±30 V
连续漏极电流(Ids)
8A
上升时间
3.8 ns
输入电容值(Ciss)
970pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.4 W
下降时间
4.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1400 mW

BSO150N03MDGXUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSO150N03MDGXUMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BSO150N03 数据手册

Infineon(英飞凌)
OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSO150N03MDGXUMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.0125 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSO150N03MD G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.0125 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
30V,9.3A,双N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z