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BSO211PNTMA1
0.53
BSO211PNTMA1 数据手册 (8 页)
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BSO211PNTMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
P-DSO-8
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
4.7A
输入电容值(Ciss)
920pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W

BSO211PNTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSO211PNTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.07 MByte

BSO211 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
20V,-4A,双P沟道功率MOSFET
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