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BSO303SP H
器件3D模型
1.679
BSO303SP H 数据手册 (10 页)
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BSO303SP H 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
通道数
1 Channel
漏源极电阻
21 mΩ
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
2330pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.56 W
下降时间
33 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BSO303SP H 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSO303SP H 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.6 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.6 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSO303 数据手册

Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS -P电源晶体管 OptiMOS-P Power-Transistor
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