￥ 0.463

BSO612CVGHUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-DSO-8

描述:

Infineon SIPMOS 系列 Si N/P沟道 MOSFET BSO612CVGHUMA1, 2 A、3 A, Vds=60 V, 8引脚 DSO封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSO612CVGHUMA1 数据手册 (13 页)

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BSO612CVGHUMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电流

3.00 A

封装

PG-DSO-8

额定功率

2 W

极性

N+P

功耗

2 W

输入电容

340 pF

栅电荷

15.5 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

输入电容值(Ciss)

340pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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BSO612CVGHUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSO612CVGHUMA1 符合标准

BSO612CVGHUMA1 概述

BSO612CVGHUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.37 MByte

BSO612CVGHUMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSO612CVGHUMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

45 页 / 0.52 MByte

BSO612CVGHUMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

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