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BSO615N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-DSO-8

描述:

SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSO615N 数据手册 (14 页)

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BSO615N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

2.60 A

封装

PG-DSO-8

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

2.60 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

380pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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BSO615N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSO615N 符合标准

BSO615N 数据手册

Infineon（英飞凌）

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