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BSO615N G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-DSO-8

描述:

INFINEON BSO615N G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSO615N G 数据手册 (8 页)

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BSO615N G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

2.60 A

封装

PG-DSO-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.12 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1.6 V

输入电容

380 pF

栅电荷

20.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

2.60 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

380pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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BSO615N G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSO615N G 符合标准

BSO615N G 海关信息

BSO615N G 概述

BSO615N G 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.49 MByte

BSO615N G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSO615N G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSO615N G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.12 MByte

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