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BSP171P L6327
1.028
BSP171P L6327 数据手册 (9 页)
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BSP171P L6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-1.90 A
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.21 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.8 W
输入电容
460 pF
栅电荷
1.60 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
1.45 A
输入电容值(Ciss)
460pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.8 W
工作温度(Max)
150 ℃

BSP171P L6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)

BSP171P L6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.6 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.6 MByte

BSP171 数据手册

Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号晶体管(P沟道增强模式的逻辑电平额定雪崩) SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated)
Infineon(英飞凌)
60V,-1.9A P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP171P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSP171P H6327 PG-SOT223-4
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP171P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.9 A, -60 V, 0.21 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
60V,-1.9A P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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