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BSP295 L6327
0.442
BSP295 L6327 数据手册 (9 页)
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BSP295 L6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
1.80 A
封装
TO-261-4
通道数
1 Channel
漏源极电阻
300 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.8 W
输入电容
368 pF
栅电荷
17.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
1.80 A
上升时间
9.9 ns
输入电容值(Ciss)
368pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.8 W
下降时间
9.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP295 L6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm

BSP295 L6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.43 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.46 MByte

BSP295 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP295  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 50 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 V
Siemens Semiconductor(西门子)
BSP295 N沟道MOSFET 50V 7.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP295 高交叉调制性能/低反馈电/低噪声增益控制放大容
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295H6327XTSA1, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Infineon(英飞凌)
SIPMOSï ????小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
60V,300mΩ,1.8A,N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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