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BSP297E6327
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BSP297E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
200 mA
封装
SOT-223
输入电容
45.0 pF
栅电荷
1.50 nC
漏源极电压(Vds)
60.0 V
连续漏极电流(Ids)
200 mA
上升时间
3.8 ns
输入电容值(Ciss)
286pF @25V(Vds)
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP297E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSP297E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.29 MByte

BSP297 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP297  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2 ohm, 10 V, 1.4 V
Siemens Semiconductor(西门子)
BSP297 N沟道MOSFET 200V 650mA/0.65A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP297 射频应用
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
200V,1800mΩ,0.66A,N沟道小信号MOSFET
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