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BSP299L6327
0.151
BSP299L6327 数据手册 (9 页)
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BSP299L6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
400 mA
封装
SOT-223
极性
N-Channel
功耗
1.50 W
输入电容
400 pF
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
400 mA

BSP299L6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape

BSP299L6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.16 MByte

BSP299 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP299 L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 500 V, 3.1 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
500V,4000mΩ,0.4A,N沟道小信号MOSFET
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