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BSP300 H6327
0.584
BSP300 H6327 数据手册 (9 页)
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BSP300 H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-4
通道数
1 Channel
漏源极电阻
15 Ω
功耗
1.8 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
800 V
漏源击穿电压
800 V
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
170pF @25V(Vds)
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP300 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSP300 H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.16 MByte

BSP300 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP300H6327XUSA1, 190 mA, Vds=800 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
800V,0.19A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP300 L6327  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 800 V, 15 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
800V,20000mΩ,0.19A,N沟道小信号MOSFET
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