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BSP51E6327
0.12
BSP51E6327 数据手册 (8 页)
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BSP51E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
1.00 A
封装
SOT-223
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
1A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
200 MHz
耗散功率(Max)
1500 mW

BSP51E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSP51E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.55 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte

BSP51 数据手册

Infineon(英飞凌)
BSP51 NPN+NPN复合三极管 80V 1A 2000 SOT-223 标记BSP51 用于开关/数字电路
Fairchild(飞兆/仙童)
NXP(恩智浦)
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistors
ON Semiconductor(安森美)
Nexperia(安世)
Siemens Semiconductor(西门子)
Philips(飞利浦)
Continental Device
Infineon(英飞凌)
NXP(恩智浦)
NXP  BSP51,115  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
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