￥ 0.987

BSP603S2LHUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

描述:

BSP603S2L 系列 55 V 33 mOhm N沟道 OptiMOS™ 小信号晶体管 - SOT-223

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSP603S2LHUMA1 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

BSP603S2LHUMA1 数据手册 (10 页)

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BSP603S2LHUMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-223-4

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

1.8 W

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

5.2A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

1034pF @25V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.8W (Ta)

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BSP603S2LHUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSP603S2LHUMA1 符合标准

BSP603S2LHUMA1 概述

BSP603S2LHUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.23 MByte

BSP603S2LHUMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

BSP603S2LHUMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

BSP603S2LHUMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

BSP603S2 数据手册

BSP603S2L 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色封装（无铅）超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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